《芯片简史》勘误表


《芯片简史》 第1版 2023.4 第1次印刷


第一章 p14 第二段 (感谢不知名的读者 2023-5-8)

“1946 年,美国宾夕法尼亚州立大学”

应删掉“州立”二字。

第三章 p81 第二段  (感谢陈春章老师指正 2023-4-17)

原文:“他于1929年出生于旧金山”,
其中“旧金山”应改为:“加州的一个小镇佩斯卡德罗(Pescadero)” 。
 
缘起:2023年4月17日,陈春章老师与我见面聊天时提起,摩尔的故乡不是大多数人认为的旧金山,而是加州的一个小镇。我当晚回到家后一查,果然不是旧金山,立刻给陈老师发消息感谢指正了这一错误。

第五章 p130 图5-2 (2023-5-4)

图a右上角的字母’M’应放入虚线方框内。

第五章 p144 (感谢秦丽雪老师 2023-10-11)

“掩膜版”应改为“掩模版”。全书其他地方也应一并修改。
缘起:秦丽雪老师询问正确的叫法,经查询《中国大百科全书》和《集成电路产业全书》,应该是“掩模版”。我之前用拼音输入法打出来的是“掩膜版”,所以一直错到现在。

第六章 p174 图6-8 (感谢苏扬先生指正 2023-9-5)

图上的245改为248。

第八章 p227 倒数第二段 (感谢苏扬先生指正 2023-5-4)

原文:“2021 年,全球的 DRAM 市场规模达到了 680 亿美元。主流计算机和手机上DRAM内存达到了 16G。”
其中的“和手机”应去掉,整句改为:“2021 年,全球的 DRAM 市场规模达到了 680 亿美元,那一年主流计算机上DRAM内存达到了 16G”。

缘起:苏扬先生看到这里时提出手机的内存没有16G这么大,如iphone14的内存为6G,我意识到当时主要考虑的是计算机的容量为16G,而把计算机和手机的内存放在一起不合适,所以应删掉关于“手机”的表述,并将年份限定在2021年。

第九章 p262 第一段 (感谢马峻岩老师指正 2023-8-16)

原文:“定势”应改为“定时”
缘起:马老师在备课时发现了这个笔误。

第九章 p269 标题 (感谢于晓乐指正 2023-9-2)

原文:“MEMES”应改为“MEMS”,此外目录页中也应同时修正。
缘起:于晓乐发现了这个笔误并发来邮件指正。(我真是老眼昏花,看了无数次都没有发现这处笔误)

第十三章 p419 倒数第三段 (感谢苏扬先生指正 2023-9-5)

245改为248。

第十四章 p421 第二段(感谢jojo指正 2023-9-27)

原文:“因此能将光刻精度提高1.44 倍”,其中“精度”改为“分辨率”。
缘起:网友jojo发来消息,指出“分辨率”一词更准确一些。

第十四章 p430 (2023-6-12)

原文:“进入 20 世纪第一个10 年”。应改为“进入 21世纪第二个10 年”。

第十四章 p432 (2023-9-15)

原文:“一个硅原子的直径是 0.5纳米,届时晶体管将只有 1 ~ 2 个原子大小。”,改为“硅晶体中相邻原子的间距是0.5纳米,届时晶体管将只有硅原子间距那么大。”


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